该机构最新统计数据显示，截至2024年2月16日当周，DRAM销量同比增长79%，13周移动平均线较去年同期飙升79%。 该机构预计，2024年全球DRAM芯片销售额将增长46%，达到780亿美元。
该机构表示，上周电子产品零售价格在手机、笔记本电脑等终端设备带动下继续上涨。
2024年以来DRAM内存芯片价格持续上涨，中国客户已经接受涨价。 PC制造商和智能手机制造商预计需求将在2024年恢复，这将推高NAND Flash和DRAM的价格。 研究机构此前报告指出，2024年存储芯片需求将强劲复苏，营收预计将猛增66.3%。
DRAM价格连续第三个月上涨。
据报道，随着中国客户接受存储芯片厂商的涨价要求，2024年1月基准产品DDR4 8Gb的批发价约为每条1.85美元，环比上涨9%， 4Gb产品每个价格约为1.40美元，环比上涨。 8%，价格连续第三个月上涨。 据悉，上述价格谈判是在春节前进行的，因为中国客户在节前增加了采购量。
节后，仓储渠道市场普遍上行。 据CFM闪存市场消息，渠道内部分品牌近期小幅上调SSD和内存价格。 现货仓储市场整体保持上涨趋势，具体价格持平至小幅上涨。 数据显示，2月5日至2月19日，个别物料数呈上升趋势； 个别车型价格保持不变，7款车型价格上涨。
台商时报还报道称，三星电子、SK海力士、美光科技三大存储芯片厂商均控制了供应，涨价态度坚决。 预计随着持续的供应控制和需求的逐步恢复，2024年第一季度DRAM环比增长13%-18%，NAND环比增长18%-23% -月。
展望二季度，业内人士预计环比增幅将小于一季度。 不过，第三季度是存储芯片行业传统的需求旺季，季度增幅有望扩大。 内存芯片季度报价有机会连续四个季度上涨。
对于2024年整体存储市场，三大原始厂商在财报中一致表示乐观。
除了DRAM之外，人工智能领域也席卷了HBM行业，市场对HBM的需求大幅上升，主要是因为HBM被用作开发高要求人工智能加速器的关键组件。 SK 海力士和三星等公司已决定利用这一巨大需求，升级现有设施并对当前和下一代工艺进行重大改进，他们似乎已开始获得收益。
HBM存储器主要供应商SK海力士在过去几个月的分析报告中正式确认了“破纪录”的HBM销售额，重申了在HBM领域的发展政策，并声称市场将会反弹。 此外，该公司还透露了HBM领域的惊人需求，声称今年的供应已经售罄，SK海力士已经在为2025财年的主导地位做准备。
非易失性内存最早可能在 2030 年代取代 DRAM
存储网络行业协会（SNIA）的多位专家最近预测，2020年代末将出现持久存储器（PMEM）的变革浪潮，他们认为新技术将取代DRAM等成熟的存储技术。
SNIA 的 Tom 和 Jim Handy 表示，持久内存速度已达到现代 DRAM 技术的水平，SK Hynix 和美光的铪铁电技术就证明了这一点。 然而，他们无法直接回答哪种新兴内存技术最终将取代客户端 PC 和服务器中的 DRAM。
虽然铁电存储器以其快速写入周期而闻名，但不能保证它会胜出。 这是因为 MRAM、FERAM 和 ReRAM 等多种新型存储技术正在竞相取代 SRAM、NOR 闪存和 DRAM 等现有标准。
专家表示，MRAM 比竞争对手有很大优势，因为它的读取速度“在不久的将来可能会与 DRAM 相媲美”。 自旋轨道扭矩和压控磁各向异性等新技术也减少了 MRAM 的写入延迟，使其成为有一天可能取代 DRAM 的主要候选技术之一。
然而，从 DRAM 过渡到持久内存的一个主要障碍是制造成本。 虽然 DRAM 的生产成本相对较低，但持久性内存可能还需要数年时间才能具有价格竞争力。
阻碍持久内存采用的另一个问题是它目前使用 NOR 闪存和 SRAM 接口而不是 DDR。 不过，这种情况将来可能会发生变化，因为“没有任何内存技术可以与任何总线紧密耦合”。
顾名思义，非易失性存储器即使在断电时也能保留其内容，这使其成为某些应用中的巨大资产。 然而，专家认为，尽管持久内存具有明显的优势，但其在不久的将来的广泛使用还存在许多障碍。 就目前情况而言，我们可能不会在 2030 年代初之前过渡到这项新技术，“但可能会晚得多。”
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